[发明专利]晶片分离方法、晶片分离装置及晶片分离转移机有效
| 申请号： | 03824698.8 | 申请日： | 2003-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1695241A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 土屋正人;真下郁夫;斋藤公一 | 申请（专利权）人： | 三益半导体工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;B65G49/06;B65G49/07;B65H3/08;B65H3/48;B65G59/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本国群*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供可以更为安全、简单并且可靠地将晶片分离并且能够提高进行晶片分离的处理速度的晶片分离方法、晶片分离装置及使用了该晶片分离装置的晶片分离机。在从该最上层的晶片的惯析线轴(A－A’、B－B’)绕顺时针或逆时针错开了角度15°～75°的轴向(L－L’)上，推压该最上层的晶片，并且按照使该最上层的晶片的弯曲应力产生于与该惯析线轴错开了的轴向(L－L’)上的方式，使该最上层的晶片的周缘部向上方翘起，同时向该最上层的晶片的下面和相邻的下侧的晶片的上面之间吹入流体，并且使该最上层的晶片上升，从而将晶片分离。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 分离 方法 装置 转移 | ||
【主权项】：
1.一种晶片分离方法，是从层叠了许多片或较多片的晶片的晶片叠层体上将最上层的晶片分离的晶片分离方法，其特征是，在从该最上层的晶片的惯析线轴绕顺时针或逆时针错开角度15°～75°的轴向上，推压该最上层的晶片，并且按照使该最上层的晶片的弯曲应力产生于该轴向上的方式，使该最上层的晶片的周缘部向上方翘起，同时向该最上层的晶片的下面和相邻的下侧的晶片的上面之间吹入流体，并且使该最上层的晶片上升，从而将晶片分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
