[发明专利]磁致电阻头无效
| 申请号： | 03823246.4 | 申请日： | 2003-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1685398A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 近藤玲子;清水丰;田中厚志 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种将记录媒体的磁信号作为再生信号进行检测的磁致电阻头，包括：第一磁屏蔽；配置在第一磁屏蔽上的第一电极端子；配置在第一电极端子上的磁致电阻膜；以及将第一方向的偏磁场加在配置在磁致电阻膜的两侧的磁致电阻膜上、控制磁致电阻膜的磁畴的磁畴控制膜。磁致电阻头还包括：配置在该磁致电阻膜上的第二电极端子；以及配置在第二电极端子上的第二磁屏蔽；磁信号再生时，使检测电流横切第一及第二电极端子且沿着与磁致电阻膜的面垂直的方向流，以便磁致电阻膜的与媒体相对的端部的电流磁场的方向成为第一方向。 | ||
| 搜索关键词： | 致电 | ||
【主权项】：
1、一种磁致电阻头，该磁致电阻头将记录媒体的磁信号作为再生信号进行检测，其特征在于包括：第一磁屏蔽；配置在该第一磁屏蔽上的第一电极端子；配置在该第一电极端子上的磁致电阻膜；配置在该磁致电阻膜两侧的、将第一方向的偏磁场加在上述磁致电阻膜上，控制该磁致电阻膜的磁畴的磁畴控制膜；配置在上述磁致电阻膜上的第二电极端子；配置在该第二电极端子上的第二磁屏蔽；以及使检测电流横切上述第一及第二电极端子且沿着与上述磁致电阻膜的面垂直的方向流动，以使得上述磁致电阻膜的与媒体相对的端部上的电流磁场的方向成为上述第一方向的单元。
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