[发明专利]在微波能照射下制备卤硅烷的方法无效
| 申请号： | 03808605.0 | 申请日： | 2003-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1646542A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 诺贝特·奥纳 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/16 | 分类号： | C07F7/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及使用微波能制备含有卤素与硅键合的硅烷的方法。将硅与选自以下组中的元素或化合物的混合物反应：卤素或卤素和有机卤素化合物或卤素和氢气或卤素和卤化氢或有机卤素化合物或有机卤素化合物和氢气或有机卤素化合物和卤化氢或卤化氢或氟硅烷和氢气或氟硅烷和卤化氢或含氢的氯硅烷和氢气或含氢的氯硅烷和卤化氢或有机卤硅烷和氢气或有机卤硅烷和卤化氢或烃类和卤化氢。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 照射 制备 硅烷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备式(I)的含卤素的硅烷的方法：RaHbSiXc (I)，其中R为1至10个碳原子的经取代或未取代的烷基或芳基，其中一个或多个碳原子可被-CO-、-CO2-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NH-或-HR’-置换，其中为R’为具有1至20个碳原子的经取代或未取代的烷基，X为氟、氯或溴，a为0、1、2或3的整数，b为0、1、2或3的整数及c为1、2、3或4的整数，但以a+b+c＝4为限，其特征是硅在微波能的作用下与选自以下组中的元素或化合物的混合物反应：卤素或卤素和有机卤素化合物或卤素和氢气或卤素和卤化氢或有机卤素化合物或有机卤素化合物和氢气或有机卤素化合物和卤化氢或卤化氢或氟硅烷和氢气或氟硅烷和卤化氢或含氢的氯硅烷和氢气或含氢的氯硅烷和卤化氢或有机卤硅烷和氢气或有机卤硅烷和卤化氢或烃类和卤化氢。
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