[实用新型]多芯片封装结构无效

专利信息
申请号: 03205356.8 申请日: 2003-08-18
公开(公告)号: CN2664198Y 公开(公告)日: 2004-12-15
发明(设计)人: 何昆耀;宫振越 申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/48;H01L23/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒;魏晓刚
地址: 台湾省台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型公开一种多芯片封装结构,至少包括一承载器、至少一封装模块、一绝缘层及一图案化金属层。承载器具有一表面,而封装模块位于承载器的表面上,封装模块具有多个芯片,芯片为堆叠接合,而芯片之间可以利用倒装芯片的方式电连接。绝缘层位于承载器的表面上并包覆封装模块,绝缘层具有多个导通孔,导通孔连通至承载器及封装模块的表面,其中至少一导通孔垂直于承载器的表面的深度大于封装模块垂直于承载器的表面的高度。图案化金属层位于绝缘层上并填入于导通孔中,以作为本实用新型多芯片封装结构的内连线层。
搜索关键词: 芯片 封装 结构
【主权项】:
1.一种多芯片封装结构,其特征在于,至少包括:一承载器,具有一表面;至少一封装模块,位于该承载器的该表面上,该封装模块具有多个芯片,该些芯片的至少二个为堆叠接合;一绝缘层,位于该承载器的该表面上并包覆该封装模块,该绝缘层具有多个第一导通孔,该些第一导通孔连通至该承载器的该表面,该些第一导通孔垂直于该承载器的该表面的深度大于该封装模块垂直于该承载器的该表面的高度;以及一图案化金属层,位于该绝缘层上并填入于该些第一导通孔中,作为该多芯片封装结构的内连线。
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