[发明专利]具有转接电路的动态随机存取存储器模块无效
| 申请号： | 03154025.2 | 申请日： | 2003-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1485923A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 陈俊宏 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;G06F13/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;文琦 |
| 地址： | 台湾省台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种动态随机存取存储器的转接装置，特别是一种具有转接电路的动态随机存取存储器模块，当动态随机存取存储器的规格不同于计算机主机板的插槽规格，于动态随机存取存储器模块上设置转接电路，使得动态随机存取存储器模块的针脚符合计算机主机板的规格。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 转接 电路 动态 随机存取存储器 模块 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储器模块，其特征在于，至少包含：数个动态随机存取存储器芯片，装设于该模块上；一转接电路，设置于该动态随机存取存储器模块上，其中该动态随机存取存储器芯片符合第一动态随机存取存储器规格；及数个存储器连接针脚，设置于该模块的一侧，借助该转接电路连接该动态随机存取存储器芯片与该数个存储器连接针脚，而该动态随机存取存储器模块符合第二动态随机存取存储器规格。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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