[发明专利]半导体晶圆制造所使用相位移转光罩的图案制作方法与其结构有效
申请号: | 03151440.5 | 申请日: | 2003-09-29 |
公开(公告)号: | CN1603950A | 公开(公告)日: | 2005-04-06 |
发明(设计)人: | 洪齐元 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及集成电路器件的标线片结构体。该结构体包含一透明基片具有表面区域及多个间隔区域于此表面区域上。每一间隔区域被结构成阵列方式,此阵列由多个列与多个行交叉形成。每一间隔区域被定义在一组列与一组行之间;因此每一间隔区域彼此之间以不超过0.25微米的一致间距隔开。至少其中的一个间隔区域含有一标示以定义罩式只读存储(ROM)结构体。该有标示的间隔区域,相应于任何一个没有标示的间隔区域,能受光引起干扰而传过较少的光量强度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 使用 相位 移转 图案 制作方法 与其 结构 | ||
【主权项】:
1、一种集成电路器件用的光罩制做方法,包括:提供一具有表面区域的光罩,该表面区域包含多个间隔区域形成阵列架构,每一间隔区域彼此之间被不透明区域隔开而形成阵列架构,且尺寸大小不超过0.25微米;选择性地标示一个或多个间隔区域以定义罩式只读存储结构体,每一被标示的间隔区域包含一结构体,该结构体对光源来的光会引起干扰;以光源照射光罩的表面区域,让光贯穿过每一间隔区域,于是,被选定且有标示的一个或多个间隔区域,其传达到光阻物质上的光量强度较少于光经由其它一个或多个没有标示的间隔区域所传达到光阻物质上的光量强度;使光阻物质显像,有选择性地去除部分的光阻物质,且仅是那部分由于光照射过的没有标示的间隔区域的光阻物质,而相应的一个或多个有标示的区域的光阻物质则保留不去除。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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