[发明专利]半导体晶圆制造所使用相位移转光罩的图案制作方法与其结构有效

专利信息
申请号: 03151440.5 申请日: 2003-09-29
公开(公告)号: CN1603950A 公开(公告)日: 2005-04-06
发明(设计)人: 洪齐元 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14;G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈亮
地址: 2012*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及集成电路器件的标线片结构体。该结构体包含一透明基片具有表面区域及多个间隔区域于此表面区域上。每一间隔区域被结构成阵列方式,此阵列由多个列与多个行交叉形成。每一间隔区域被定义在一组列与一组行之间;因此每一间隔区域彼此之间以不超过0.25微米的一致间距隔开。至少其中的一个间隔区域含有一标示以定义罩式只读存储(ROM)结构体。该有标示的间隔区域,相应于任何一个没有标示的间隔区域,能受光引起干扰而传过较少的光量强度。
搜索关键词: 半导体 制造 使用 相位 移转 图案 制作方法 与其 结构
【主权项】:
1、一种集成电路器件用的光罩制做方法,包括:提供一具有表面区域的光罩,该表面区域包含多个间隔区域形成阵列架构,每一间隔区域彼此之间被不透明区域隔开而形成阵列架构,且尺寸大小不超过0.25微米;选择性地标示一个或多个间隔区域以定义罩式只读存储结构体,每一被标示的间隔区域包含一结构体,该结构体对光源来的光会引起干扰;以光源照射光罩的表面区域,让光贯穿过每一间隔区域,于是,被选定且有标示的一个或多个间隔区域,其传达到光阻物质上的光量强度较少于光经由其它一个或多个没有标示的间隔区域所传达到光阻物质上的光量强度;使光阻物质显像,有选择性地去除部分的光阻物质,且仅是那部分由于光照射过的没有标示的间隔区域的光阻物质,而相应的一个或多个有标示的区域的光阻物质则保留不去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03151440.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top