[发明专利]基于电编程三维存储器的集成电路自测试方法无效
| 申请号： | 03145663.4 | 申请日： | 2002-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1497729A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/10;H01L21/66;G11C29/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 电编程三维存储器(EP－3DM)很适合用作存储被测试集成电路(CUT)的测试数据。在与CUT集成时，EP－3DM对CUT的版图影响极小。很明显，与EP－3DM集成的CUT支持自测试。同时，由于EP－3DM与CUT之间有很大带宽，基于EP－3DM的集成电路自测试支持同速测试。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 编程 三维 存储器 集成电路 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种支持基于电编程三维存储器(EP-3DM)进行自测试的集成电路，其特征在于含有：一衬底电路(0s)，该衬底电路还含有一被测试电路(CUT)(0CUT)和一周边电路；至少一集成于所述衬底电路上方的EP-3DM(0)，该EP-3DM存储至少部分该CUT的测试数据(002)和/或测试数据的籽数据(002c)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
