[发明专利]透明导电薄膜用靶、透明导电薄膜及其制造方法、显示器用电极材料、有机电致发光元件和太阳能电池有效
申请号: | 03138519.2 | 申请日: | 2003-05-30 |
公开(公告)号: | CN1461819A | 公开(公告)日: | 2003-12-17 |
发明(设计)人: | 阿部能之 | 申请(专利权)人: | 住友金属矿山株式会社 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/34;C22C28/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 任宗华 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种透明导电薄膜用靶,其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和/或钼,其中通过使氧化铟粉末和氧化钨粉末和/或氧化钼粉末成形,然后加热并烧结该成形体,使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分,并含有原子比(W+Mo)/In为0.0040-0.0470的钨和/或钼而获得所述透明导电薄膜用靶,其中该透明导电薄膜具有优异的表面光滑度和6×10-4Ω·cm或更低的低电阻率,并且甚至当在170℃下加热时,其表面光滑度和电阻率也不会变化。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电 薄膜 及其 制造 方法 显示 器用 电极 材料 有机 电致发光 元件 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种透明导电薄膜用靶,其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和/或钼,其中通过制备和形成氧化铟粉末和氧化钨粉末和/或氧化钼粉末,然后加热并烧结该成形体,使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分,并含有原子比(W+Mo)/In为0.0040-0.0470的钨和/或钼而获得所述透明导电薄膜用靶。
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