[发明专利]一种含硅低介电材料刻蚀工艺无效
| 申请号： | 03114705.4 | 申请日： | 2003-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN1424749A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 缪炳有;徐小诚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞,陶金龙 |
| 地址： | 200020 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种低介电材料Silk刻蚀工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Silk是一种新的低介电材料，它在工艺集成过程中还存在一些问题，如Silk旋涂后的刻蚀工艺。本发明针对Silk刻蚀提出了一种新工艺—选择N2/O2/CH4刻蚀气体，Silk的线宽或槽的尺寸和形状都满足工艺规范要求，没有明显的侧切、槽或孔侧壁内弓和槽底部中间凸起等问题。本发明工艺简单，容易操作，节约成本，很适用于大生产线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含硅低介电 材料 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种含硅低介电材料刻蚀工艺，其过程是：先将表面的SiC刻蚀去除，然后用刻蚀气体来刻蚀Silk低介电层，最后将底部的SiC和光刻胶去除，其特征是上述的刻蚀气体选择N2/O2/CH4刻蚀气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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