[发明专利]柔性混合存储元件无效
| 申请号： | 03106743.3 | 申请日： | 2003-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1442906A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | W·B·杰克森;C·P·陶西格;C·佩尔洛夫 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明包括存储单元装置和形成存储单元的方法。存储单元装置包括柔性混合存储元件。柔性混合存储元件包括靠近柔性衬底形成的柔性第一导电层。柔性二极管结构靠近柔性第一导体形成。柔性开关靠近柔性二极管结构形成。柔性第二导电层靠近柔性开关形成。柔性开关由有机材料形成。柔性二极管结构由无序无机材料形成。当阈值电流通过柔性开关时，柔性开关可形成建立高阻通路，或者，可形成建立低阻通路。该方法包含在柔性衬底上淀积柔性第一导电层。柔性无序无机材料淀积在柔性第一导体上形成多个柔性二极管结构。柔性有机材料淀积在柔性无序无机材料上形成与多个柔性二极管结构靠近的多个柔性开关。柔性第二导体淀积在柔性有机材料上。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 混合 存储 元件 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，该存储装置包含柔性混合存储元件，其中包括：靠近柔性衬底(310)形成的柔性第一导电层(320)；靠近柔性第一导体(320)形成的柔性二极管结构(330)；靠近柔性二极管结构(330)形成的柔性开关层(350)；以及靠近柔性开关层(350)形成的柔性第二导电层(360)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
