[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 03103665.1 | 申请日： | 2003-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1440076A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 羽多野正亮;池上浩;臼井孝公;松尾美惠 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥,段承恩 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种容易进行使熔丝配线断线的熔丝熔断，并且熔丝配线和其周边部的品质难以劣化的熔丝配线结构的半导体装置。Cu熔丝配线1，由熔丝用引出线5，以及设置在该引出线5更上方并与引出电气连接的熔丝主体部2构成，并被设置在Si基板3上。在如覆盖Cu熔丝配线1那样，层积设置作为绝缘膜的层间绝缘膜4以及Cu扩散防止膜7的同时，在熔丝主体部2的上方，形成为了容易进行熔丝熔断的凹部9。熔丝主体部2，被形成为比凹部的底部10的宽度以及长度还短，且长度在熔丝熔断用激光束的直径以上，并且被设置位于和底部10相对的区域的内侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：具备：基板、被设置在该基板上的熔丝配线、被设置覆盖该熔丝配线的绝缘膜；上述熔丝配线中，成为电气切断上述熔丝配线的熔丝熔断的目标的熔丝主体部，被形成为比被形成在上述熔丝配线上的上述绝缘膜上的熔丝熔断用凹部的底部还小，且，长度在熔丝熔断用激光束的直径以上，并且被设置在位于和上述底部相对的区域的内侧。
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