[发明专利]细微图案形成方法

摘要

本发明提供采用光刻工序形成细微间隔图案的细微图案形成方法。包括下步骤：含导电膜的半导体基板上，依次涂布i－线用抗蚀剂层和正型ArF抗蚀剂层；在基板上用具有规定图案的掩膜，进行曝光及第1烘烤工序，在正型ArF抗蚀剂层内进行甲硅烷化反应，生成醇基(OH)或羧基(COOH)；除去掩膜；在产物上显像，形成第1抗蚀剂层图案；在含有第1抗蚀剂层图案的基板上进行曝光及第2烘烤工序；在其后的基板上用HMDS进行甲硅烷化反应，通过醇基(OH)或羧基(COOH)和HMDS反应，在第1抗蚀剂层图案表面上形成硅氧化膜；将含有硅氧化膜的第1抗蚀剂层图案作掩蔽膜，在上述i－线用抗蚀剂层上进行干式显像工序，以形成第2抗蚀剂层图案；将第1及第2抗蚀剂层图案作为掩膜，对上述导电膜进行蚀刻，形成位线。

主权项

1.一种细微图案形成方法，其特征是，包括：在含导电膜的半导体基板上，依次涂布i-线用抗蚀剂层和正型ArF抗蚀剂层的步骤；在上述得到的基板上，利用具有规定图案的掩膜，进行曝光及第1烘烤工序，以在所述正型ArF抗蚀剂层内进行甲硅烷化反应，生成醇基(OH)或羧基(COOH)的步骤；除去掩膜的步骤；在产物上实施显像，形成第1抗蚀剂层图案的步骤；在含有第1抗蚀剂层图案的基板上进行曝光及第2烘烤工序的步骤；第2烘烤工序完成后的基板上，用HMDS进行甲硅烷化工序，通过醇基(OH)或羧基(COOH)和HMDS反应，在第1抗蚀剂层表面上，形成硅氧化膜的步骤；把含有硅氧化膜的第1抗蚀剂层图案作为掩膜，在上述i-线用抗蚀剂层上实施干式显像工序，以形成第2抗蚀剂层图案的步骤；把含有硅氧化膜的第1及第2抗蚀剂层图案作为掩膜，对上述导电膜进行蚀刻，形成位线的步骤。