[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03101095.4 | 申请日： | 2003-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1433075A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 椎木美香 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;G01C7/00;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种具有精确的分压比和小的电阻值温度系数的高精度增殖电阻电路，并利用此增殖电阻电路来提供具有高精度和小温度系数的半导体器件。例如，提供了诸如电压探测器和调压器之类的半导体器件。使薄膜电阻器上的导体以及薄膜电阻器下方的导体的电位几乎等于采用薄膜电阻器的增殖电阻电路中各个薄膜电阻器的电位。此外，若多晶硅被用于薄膜电阻器中，则借助于使多晶硅薄膜电阻器的薄膜厚度薄，以及借助于使引入到多晶硅薄膜电阻器的杂质为p型，抑制了电阻值的分散，且消除了电阻值的温度依赖性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包含增殖电阻电路的半导体器件，它包括：第一导体；第一导体上的第一绝缘膜；以及第一导体上通过第一绝缘膜的多个薄膜电阻器，其中，薄膜电阻器下方部分中的第一导体与薄膜电阻器的电位基本上彼此相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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