[发明专利]用于逻辑集成电路的嵌入式电容结构有效
| 申请号： | 03100966.2 | 申请日： | 2003-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN1459858A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡腾群;许嘉麟;郑懿芳;林义雄 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科 *** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制作垂直三维金属绝缘金属电容结构(MIMcapacitorstructure，metainsulator－metalcapacitorstructure)的方法。本方法是利用在一底材上制作一垂直三维金属绝缘金属电容结构且与铜镶嵌结构相容，以减少在相等的电容量时，在逻辑电路中电容结构的面积，因此，可以提高垂直三维电容结构的电容密度。此外，在本发明中提供一种在逻辑集成电路中整合铜镶嵌制程，制作垂直三维金属绝缘金属电容结构的方法，且其制程相容于铜镶嵌结构的制程，使得形成电容结构时所需的光罩数目可以减少，即减少制程步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 逻辑 集成电路 嵌入式 电容 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于逻辑集成电路中的嵌入式电容元件，其特征在于，包含：一底材；一电容结构是垂直于该底材上；及一镶嵌结构位于该底材上且邻近于该电容结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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