[发明专利]纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件有效
| 申请号： | 02809601.0 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1507661A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | A·马亚姆达;A·沙科里;T·D·桑德斯;P·杨;S·S·毛;R·E·拉索;H·费克;H·金德;E·R·韦伯;M·黄;H·严;Y·吴;R·范 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沙捷;彭益群 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一维纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 制造 方法 器件 | ||
【主权项】：
1、一种纳米线，包括：第一材料的第一段；和第二材料的第二段，第二段与所述第一段连接；其中所述段的至少之一具有小于约200nm的基本上均匀的直径；和其中所述纳米线选自具有基本上单分散分布直径的纳米线的群体。
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