[发明专利]单片光电集成电路的调制掺杂闸流管和互补晶体管组合无效
| 申请号： | 02809313.5 | 申请日： | 2002-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1507660A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | G·W·泰勒 | 申请（专利权）人： | 康涅狄格州大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L31/0328;H01L31/0336;H01L31/072;H01L21/338;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用彼此反转的二个调制掺杂的晶体管结构组成的外延层结构，在单片衬底(149)上得到了闸流管以及高速晶体管和光电子器件族。借助于对赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)结构进行平面掺杂而得到这种晶体管结构。对于一种晶体管，加入了与PHEMT的调制掺杂相反的被轻掺杂层分隔开的二个相同极性的平面掺杂层。此组合被不掺杂的材料分隔于PHEMT调制掺杂。电荷层薄而重掺杂。顶部电荷层(168)得到了低的栅接触电阻，且底部电荷层(153)确定了相对于PHEMT调制掺杂层的场效应晶体管(FET)电容。对于其它的晶体管，仅仅加入了一个额外的层。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 光电 集成电路 调制 掺杂 流管 互补 晶体管 组合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它包含：生长在衬底上的一系列外延层，所述外延层包括N+掺杂层、被至少第一外延层分隔于所述N+掺杂层的形成p调制掺杂量子阱的第一多个层，形成n调制掺杂量子阱的第二多个层，所述第一多个层被至少第二外延层分隔于所述第二多个层，以及被至少第三外延层分隔于所述第二多个层的P+掺杂层。
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