[发明专利]远紫外光发生器、采用该发生器的曝光设备和半导体制造方法无效
| 申请号： | 02805547.0 | 申请日： | 2002-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1494819A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 神高典明 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H05G2/00 | 分类号： | H05G2/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 武玉琴;顾红霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种远紫外光发生器(1)，能够抑制电极部件熔融和蒸发产生的分散颗粒量，还提供一种利用该发生器的曝光设备和半导体制造方法。该远紫外光发生器(1)设置在X射线曝光设备的最上游侧，在其真空腔(4)同轴设置中央放电电极(2)和周边放电电极(4)。中央放电电极(2)由钨形成，其中空部分(2c)内表面涂布有厚度大约为0.2mm的金刚石薄膜(10)。在中空部分(2c)中设置其尖端连接至冷却水供应设备(12)的冷却水管(11)。冷却水供应设备(12)中的冷却水始终被冷却至大约20摄氏度，并通过冷却水管(11)提供给中央放电电极(2)的中空部分(2c)。由此，中央放电电极(2)的热量迅速扩散，可以抑制中央放电电极(2)温度升高，由此减少所产生的分散颗粒量。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外光 发生器 采用 曝光 设备 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种远紫外光发生器，包括：真空腔，具有抽空部件；一对放电电极，设置在所述腔内；电源，用于在所述电极之间施加高脉冲电压；以及气体供应部件，用于在所述放电电极之间提供工作气体；其中放电部分限于局部，并且提供的所述工作气体在所述放电部分被激发为高温高密度等离子体，从所述等离子体中辐射出对应于所述工作气体中特定离子的跃迁能的远紫外光；所述远紫外光发生器还包括冷却部件，用于液体冷却所述放电电极。
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