[发明专利]金属电阻器装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02805449.0 | 申请日： | 2002-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1493080A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 河朝雄;金承贤;李东洙;禹贤廷;朴东衍 | 申请（专利权）人： | 伊诺斯泰克有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张天舒;顾红霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属电阻器及其制造方法。第一绝缘薄膜形成在基体上，光敏薄膜作用在绝缘薄膜上，通过使绝缘薄膜形成图案而形成绝缘薄膜图案。金属薄膜在绝缘薄膜图案内和光敏薄膜内形成后，除去光敏薄膜，在绝缘薄膜图案内形成金属薄膜图案。在金属薄膜图案和绝缘薄膜图案上，形成第二绝缘薄膜，在金属薄膜图案的衬垫区连接有导线，然后制成金属薄膜电阻器，其上具有在导线上和导线周围的保留薄膜。通过蚀刻绝缘薄膜，利用图案形成工艺，以形成金属薄膜图案，可以克服装置的磨损或者寿命降低的问题，易于控制金属薄膜电阻器的电阻，通过制造高电阻的金属薄膜电阻器温度，可以提高灵敏度，所述电阻器具有减小线宽的金属薄膜图案。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 电阻器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属薄膜电阻器装置，包括：形成在基体上的绝缘薄膜图案；形成在所述绝缘薄膜图案内的金属薄膜图案；形成在所述绝缘薄膜图案和金属薄膜图案上的绝缘薄膜；与所述金属薄膜图案的衬垫区连接的导线；和形成在所述导线上和导线周边部分上的钝化层。
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