[发明专利]硅的制造方法无效
| 申请号： | 02803254.3 | 申请日： | 2002-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1478057A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 若松智;小田开行 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自立型制硅方法，能够一方面确保工业上有利的生产量，另一方面压低四氯化硅的副产量，并提高三氯氢硅的生产效率。此法包括下列各工序：使三氯氢硅与氢在1,300℃以上的温度起反应生成硅的硅析出工序，促使上述硅析出工序的反应后的气体与原料硅接触而使该排出气中所含的氯化氢与硅反应生成三氯氢硅的三氯氢硅生成工序，以及把三氯氢硅从该三氯氢硅生成工序的反应后的气体中分离而在硅析出工序中循环的三氯氢硅第一循环工序。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅的制造方法，其特征在于，它包括：使三氯氢硅与氢在1,300℃以上的温度反应生成硅的硅析出工序，促使上述硅析出工序的反应后的气体与原料硅接触、使该排出气中所含的氯化氢与硅反应生成三氯氢硅的三氯氢硅生成工序，以及把三氯氢硅从该三氯氢硅生成工序的反应后的气体中分离而在硅析出工序中循环的三氯氢硅第一循环工序。
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