[发明专利]用于提高刷新特性的半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 02154240.6 | 申请日： | 2002-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1428847A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 徐文植;朴性桂 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮,杨悟 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件的制造方法，其为了提高刷新特性，在掩膜了存储器结点的接合部的状态下，仅在位线接合部完成硼环离子注入。该方法包括如下步骤：完成用于在半导体基板内调节门限电压(Vt)的第1离子注入的步骤；在已完成所述第1离子注入的半导体基板上形成栅电极的步骤；完成用于调节使所述栅电极作为掩膜按规定角度倾斜的门限电压的第2离子注入的步骤；完成用于在所述栅电极两侧的基板区域上形成LDD区域的第3离子注入的步骤，在此，所述第1离子注入在对门限电压调节必要的全部掺杂质浓度的0～90％范围内完成，在按0～30°的角度完成所述第2离子注入的同时分别在与栅电极垂直的两方向或四方向上完成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 刷新 特性 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于包括：完成用于在半导体基板内调节门限电压(Vt)的第1离子注入的步骤；在已完成所述第1离子注入的半导体基板上形成栅电极的步骤；完成用于调节使所述栅电极作为掩膜按规定角度倾斜的门限电压的第2离子注入的步骤；完成用于在所述栅电极两侧的基板区域上形成LDD区域的第3离子注入的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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