[发明专利]包含配线的结构体及其形成方法有效
| 申请号： | 02152826.8 | 申请日： | 2002-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1495892A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 池田雅延;铃木贵志 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈季壮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 借助通过金属镶嵌方法形成的基膜，用Cu填充通路孔和配线沟，形成配线。然后，形成SiC:H膜，覆盖配线的上表面。此刻，在形成SiC:H膜的时候，通过加入含氮气体，控制其中的氮原子含量为为8(原子％)－20(原子％)，从而使SiC:H膜的膜密度为2.1(g/cm3)或更高。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包含配线的结构体，其包括：基体；在所述基体上方提供的绝缘膜，其中在所述绝缘膜内形成配线形状的沟道；和使用具有容易向所述绝缘膜扩散特性的导电材料填充沟道而形成的配线，其中提供防扩散膜，覆盖所述配线的上表面，其中所述防扩散膜使用氢化SiC作为材料，其密度为2.1(g/cm3)或更高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02152826.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路装置与电子装置
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
