[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法有效
| 申请号： | 02151432.1 | 申请日： | 2002-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1420546A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 大塚文雄;山本智志;酒井哲 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种方法，能在具有由高介电常数绝缘膜制成的栅极绝缘膜的多种类型的MIS晶体管的半导体集成电路器件中，在相同的衬底上形成具有高速性能的电路和高可靠性的电路。方法除去了逻辑区和I/O区中MIS晶体管扩散区上的高介电常数绝缘膜，在扩散区的表面上形成低阻硅化物层。另一方面，在存储区中，在MIS晶体管的扩散区上不形成硅化物层，用高介电常数绝缘膜覆盖扩散区，由此防止了形成间隔层、硅化物层以及接触孔期间对半导体衬底的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在第一导电类型的半导体衬底表面上形成多个沟槽，在该多个沟槽内形成第一绝缘膜；(b)在半导体衬底的表面上形成第二绝缘膜，第二绝缘膜的相对介电常数高于第一绝缘膜的相对介电常数；(c)在第二绝缘膜上形成第一导电部件；以及(d)在第二绝缘膜被留在第一导电部件的两端的区域中的状态下，将与第一导电类型相反的第二导电类型的第一杂质引入到半导体衬底的表面内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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