[发明专利]使用选择性生长的碳纳米管的电子发射光刻装置及方法无效
| 申请号： | 02144390.4 | 申请日： | 2002-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1407602A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 崔原凤;柳寅儆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用选择性生长的碳纳米管的电子发射光刻装置以及方法。该电子发射光刻装置将碳纳米管用作电子发射源，其包括电子发射源，设置在一个腔室内；平台，以预定距离与电子发射源相隔，试样就安装在这个平台上。电子发射源是一个具有电子发射能力的碳纳米管。因此，因为用碳纳米管作为电子发射源，所以可以以精确的临界尺寸进行光刻处理。另外，由于从碳纳米管发出的电子减小了电子束抗蚀剂的与碳纳米管一一相对的部分，所以，可以防止衬底的中心和其边缘之间的偏差。因此，可以提供一种实现高产量的电子发射光刻装置。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 选择性 生长 纳米 电子 发射 光刻 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射光刻装置，包括：电子发射源，设置在一个腔室内；平台，该平台以预定距离与电子发射源相隔，且试样安装在此平台上，其中电子发射源是具有电子发射能力的碳纳米管。
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