[发明专利]动态随机存取存储器无效
申请号: | 02144037.9 | 申请日: | 2002-09-28 |
公开(公告)号: | CN1485922A | 公开(公告)日: | 2004-03-31 |
发明(设计)人: | 陈国庆;李若加 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;G11C11/34 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种动态随机存取存储器,包括多个电容、一位元线、多条字元线、多个开关及一感测放大器。其中,字元线相互电性耦接。每一开关则经由相对的字元线所控制,且连接于相对的电容与位元线之间。感测放大器具有第一输入端耦接至位元线,及第二输入端接收一参考电位。在本发明中将相邻的字元线连接,而使用相邻存储单元的两个电容来储存一位元,具有较简单的结构及更好的储存特性。本发明亦提供了另一新的一位元四电容存储单元结构,可以大幅增加存储数据维持时间。同时藉由耦接多条位元线的方式,一位元多电容的存储单元结构可以有更大的电容。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 | ||
【主权项】:
1、一种动态随机存取存储器,包括:多个电容;一位元线;多个字元线,相互电性耦接;多个开关,每一开关经由相对的该些字元线之一所控制,且连接于相对之该些电容之一与该位元线之间;以及一感测放大器,具有第一输入端耦接至该位元线,及第二输入端接收一参考电位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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