[发明专利]对比度检测能力强的半导体摄像元件无效
申请号: | 02143222.8 | 申请日: | 2002-09-20 |
公开(公告)号: | CN1409401A | 公开(公告)日: | 2003-04-09 |
发明(设计)人: | 有馬裕 | 申请(专利权)人: | ENG株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/225;H04N5/335 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 孙敬国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明揭示一种对比度检测能力强的半导体摄像元件,各象素包含作为受光检测元件的第1和第2光电二极管。第1光电二极管提供与入射到该象素的入射光量对应的第1电位。内部节点由于通过电阻成分与其它象素中的内部节点电耦合,因此第2光电二极管对该内部节点提供与周围平均光量对应的第2电位。象素信号生成电路读出第1与第2电位之积作为象素信号。象素信号按照根据该像不比周围区域的平均光量进行自动调整的受光灵敏度特性(信号放大倍数),具有与该象素光量对应的强度。 | ||
搜索关键词: | 对比度 检测 能力强 半导体 摄像 元件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体摄像元件,其特征在于,包括构成图像传感器的多个象素电路,和对每个所述象素电路调整固有的信号放大倍数的装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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