[发明专利]用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法无效
申请号: | 02141979.5 | 申请日: | 2002-08-29 |
公开(公告)号: | CN1153304C | 公开(公告)日: | 2004-06-09 |
发明(设计)人: | 刘益春;李炳生;马剑钢;吕有明;申德振 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00;H01L33/00;H01L21/20;H01L21/36 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 130022吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法。在不同衬底上通过高温热氧化氮化锌单晶薄膜获得p-型氧化锌材料,通过控制氧化温度与热氧化时间来控制p-型氧化锌材料的受主杂质浓度。利用高温条件下氧易于替代立方反铁锰矿结构氮化锌中的氮,并形成六方结构p-型氧化锌,可实现氮的替位掺杂形成p-型氧化锌,并通过热氧化氮化锌薄膜制备出受主浓度为6×1016-4×1018·cm-3的具有六方结构的p-型氧化锌薄膜材料。方法简单,实验条件可控,可实现对p-型氧化锌电学性质和载流子浓度的控制,以满足制备氧化锌P-N结材料和光电子器件等方面的需要,可用于制备氧化锌紫外发光管、激光二极管、紫外探测器。 | ||
搜索关键词: | 氧化 氮化 制备 受主型 氧化锌 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】:
1、用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法,其特征在于:首先将生长在Si基片或石英基片上的具有立方反锰铁矿结构的氮化锌单晶薄膜放入管式高温扩散炉的恒温区,选择管式高温扩散炉的炉温范围为500-800℃,通入高纯氧气,根据所需要的薄膜厚度确定氧化时间,氧化时间的选择范围为1-2小时,氧化后即获得受主型氧化锌薄膜材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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