[发明专利]静态随机存储器的制造方法

摘要

一种静态随机存储器的制造方法。此方法定义一已形成有栅氧化层与第一导体层的基底，以形成埋入式接触窗开口。然后于基底上形成一第二导体层，随后于埋入式接触窗开口对应的基底中形成一埋入式接触窗。接着于基底上形成一层保护层并填满凹陷。之后，去除部分保护层，再于基底上形成一图案化光阻层。然后以此图案化光阻层作为罩幕，蚀刻形成一栅极与一内联机。再去除此图案化光阻层。最后，可以去除保护层或保留此保护层，再进行植入步骤，以形成源/漏极，使其与埋入式接触窗相连。

主权项

1、一种静态随机存储器的制造方法，其特征在于：包括：提供一基底；于该基底上依序形成一栅氧化层与一第一导体层；定义该第一导体层与该栅氧化层，以形成一埋入式接触窗开口，该埋入式接触窗开口暴露出该基底；于该基底上形成一第二导体层并覆盖该埋入式接触窗开口，使该第二导体层于该埋入式接触窗开口处具一凹陷；于该埋入式接触窗开口所对应的该基底中形成一埋入式接触窗；于该凹陷内形成一保护层；于该基底上形成一图案化光阻层，该图案化光阻层具有一开口，该开口暴露出部分该第二导体层；以该图案化光阻层与该保护层作为罩幕，蚀刻去除该开口所暴露出的部分该第二导体层，并持续蚀刻去除其下层的该第一导体层，以形成一栅极与一内联机；去除该图案化光阻层；进行一植入制作工艺，以于该基底内形成一源/漏极。