[发明专利]化合物半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 02140904.8 | 申请日： | 2002-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1396633A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 浅野哲郎;上川正博;平田耕一;榊原干人 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥,张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 当以[01方向－1方向]的方向形成晶片的取向面，在与该取向面垂直、水平方向上进行切割时，会产生切割表面缺陷，所以存在半导体元件收率低下，切割速度慢，导致不能提高生产效率等问题。在以[01方向－0]、[001方向]、[001]、[010]的任何一个方向上形成取向面的晶片上形成图案。相对于[01方向－1方向]的方向，以45度交叉排列各芯片，进行切割。由于大幅度降低表面缺陷，所以能使芯片尺寸缩小，实现了晶片收率的提高和生产效率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体装置的制造方法，特征是包括如下工序，即将化合物半导体基板的(100)面作为表面，以[01方向-0]、[001方向]、[001]、[010]中任何一个方向形成上述基板的取向面，使用这样形成的化合物半导体基板形成图案的工序，和对上述基板进行切割的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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