[发明专利]缩小制程的解析周期的方法

摘要

本发明有关一种缩小制程宽度的方法，特别是有关一种缩小制程的解析周期的方法，该方法包括：利用一光罩在部分的底材上形成第一光阻层并在此第一光阻层的侧壁上形成第一材料层；配合制程的需求而在此时移除此第一光阻层，以在第一阶段制程在部分的底材上形成第一材料层；配合制程的需求进行第二阶段制程而在第一光阻层的侧壁上形成一第一材料层后，在部分的底材上并在第一材料层的侧壁上形成一第二光阻层；接下来移除第一光阻层，以在底材上形成一渠沟并在此渠沟的侧壁上形成一第二材料层；最后移除第二光阻层以在部分的底材上形成第一材料层与第二材料层的复合层并结束第二阶段制程。这样，第一材料层与第二材料层相互接触在一起。

主权项

1.一种缩小制程解析周期的方法，其特征在于，该方法包括：提供一晶片，该晶片包括一底材；形成一光阻层于部分的该底材上：形成一材料层于该光阻层的一侧壁上；及移除该光阻层。