[发明专利]改善DxZ氧化硅对Silk粘附性的工艺无效
| 申请号： | 02137200.4 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1420532A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 缪炳有;徐小诚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陶金龙,陆飞 |
| 地址： | 200020 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明改进属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到氧化硅/Silk粘附性的改进工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Silk是一种新的低介电材料，本发明通过改进DxZ氧化硅工艺来提高对Silk的粘附性。改变原DxZ氧化硅工艺中的温度/气压稳定步骤，气体采用N2O+SiH4。改进后的氧化硅工艺对Silk的粘附性有明显的改善，并使工艺性能大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 dxz 氧化 silk 粘附 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种改善DxZ氧化硅对Silk粘附性的工艺，其特征在于将原来的温度和气压两步稳定的步骤改变为一步完成，稳定气体采用N2O+SiH4，具体步骤为：(1)将硅片放入DxZ腔室；(2)通入温度气压稳定气体---N2O+SiH4；(3)在DxZ腔室进行DxZ氧化硅淀积工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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