[发明专利]半导体装置测试结构与形成方法有效
| 申请号： | 02136843.0 | 申请日： | 2002-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1481005A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 江顺旺;简维廷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置测试结构，除了包含一多重内连线与电性耦耦接至此多重内连线的二个相互分离的讯号传收端外，还包含用以提供接地管道的一传导元件。在此，传导元件的一端同时电性耦接至多重内连线与一讯号传收端(用以传收低电位讯号)，而另一端则电性耦接至一电位基准点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 测试 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置测试结构，包含：一多重内连线；第一讯号传收端，该第一讯号传收端电性耦接至该多重内连线的一端；第二讯号传收端，该第二讯号传收端电性耦接至该多重内连线的另一端；以及传导元件，该传导元件的一端电性耦接至该多重内连线，该传导元件的另一端则电性耦接至一电位基准点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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