[发明专利]一种无机抗反射层去除方法无效
| 申请号： | 02136119.3 | 申请日： | 2002-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1391265A | 公开（公告）日： | 2003-01-15 |
| 发明（设计）人： | 肖慧敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞,陶金龙 |
| 地址： | 200020 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 在先进的半导体制造工艺中，无机抗反射层能有效降低衬底反射。但光刻完成后如何有效地去除这些无机抗反射层往往成为工艺难点。本发明通过反版刻蚀来去除无机抗反射层。其方法是在HDP淀积后增加一次STI反版光刻，通过干法刻蚀的方法去除有源区区域的HDP和氮氧化硅，使刻蚀终止在氮化硅上。本发明方法可使硅片表面平坦，缩短CMP时间，改善CMP均匀性，为STICMP提供良好的条件，解决了现有技术中光刻与CMP不能两全其美的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 反射层 去除 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光刻无机抗反射层去除方法，其特征在于通过反版刻蚀去除无机抗反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
