[发明专利]超导磁场屏蔽室及制备方法无效
| 申请号： | 02131225.7 | 申请日： | 2002-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1484484A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 张芹;许加迪;周岳亮;朱亚彬;王淑芳;陈正豪;吕惠宾;杨国桢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;C25D3/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及超导磁场屏蔽室及制备方法，该屏蔽室包括：一空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管和顶盖；其特征在于：在所述的空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管内壁有一均匀致密的MgB2膜，在该管端口盖有用MgB2制作的顶盖。本发明采用两步法制备MgB2超导屏蔽室，即：首先在金属管内表面电泳一层二硼化镁薄膜，然后在镁蒸气中烧结。该法制备的屏蔽室质地均匀、致密，电、磁屏蔽性能强，而且工艺简单，生长迅速，原材料及设备成本低廉，容易生长大的MgB2超导屏蔽室，适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 磁场 屏蔽 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超导磁场屏蔽室，包括：一空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管和顶盖；其特征在于：在所述的空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管内壁有一均匀致密的MgB2膜，在该管端口盖有用MgB2制作的顶盖。
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