[发明专利]可重复使用的晶圆控片及其形成方法有效
| 申请号： | 02122807.8 | 申请日： | 2002-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1466170A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 吴金刚;黄晋德;刘靓一;李修远 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 上海市张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体制程的晶圆控片的形成方法。在本发明的一实施例中，首先提供一晶圆底材。然后，形成一氧化层于晶圆底材上。接着，形成一非晶硅层于氧化层上。之后，进行一离子植入制程以掺杂非晶硅层与氧化层。其次，进行一回火制程以形成一晶圆控片。在回火制程后，可进行一量测程序以测定方块电阻值(Rs)，并进行日程监控。另一方面，当日程监控完成后，湿法控片晶圆底材上的非晶硅层与氧化层，晶圆控片可以重复使用，降低日程监控成本。 | ||
| 搜索关键词： | 重复使用 晶圆控片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆控片的形成方法，该晶圆控片的形成方法包含下列步骤：提供一半导体底材；形成第一保护层于该半导体底材上，该第一保护层用以保护该半导体底材不受后续制程的影响；与形成第二保护层于该第一保护层上以形成该晶圆控片，该第二保护层可用以替代该半导体底材进行后续制程的反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
