[发明专利]搪瓷设备中搪瓷壁的局部补瓷方法无效
申请号: | 02117116.5 | 申请日: | 2002-04-19 |
公开(公告)号: | CN1153847C | 公开(公告)日: | 2004-06-16 |
发明(设计)人: | 阎正楷 | 申请(专利权)人: | 阎正楷 |
主分类号: | C23D13/00 | 分类号: | C23D13/00 |
代理公司: | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人: | 金向荣 |
地址: | 100022北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于搪瓷产品的制造领域。特别适用于在大型搪瓷设备中,对残损、破碎的搪瓷壁进行局部的补瓷方法。该方法是由清理被补瓷处表面、补瓷釉、焙烧处理、二次补瓷釉和焙烧处理等工序组成,其特征在于对搪瓷壁修补瓷处经补瓷釉后再采用梯度等温降温进行焙烧瓷釉,其工艺可以是修补底釉、面釉和二次补瓷釉等程序。采用本发明的梯度等温降温方式焙烧修补搪瓷壁与现有技术相比较,具有很好的修补效果,而且还有操做方便、可靠和经济等特点。 | ||
搜索关键词: | 搪瓷 设备 局部 方法 | ||
【主权项】:
1、一种大型搪瓷设备用搪瓷壁破损处局部的补瓷方法,该方法是由清理被补瓷处表面、补底釉和瓷釉、焙烧处理、二次补瓷釉和焙烧处理工序组成,其特征在于对搪瓷壁破损处经补瓷釉后再采用梯度等温降温进行焙烧处理,其工艺过程是:(1)、清理补瓷表面后并于200℃进行烘干处理;(2)、在补瓷表面处喷涂面釉;(3)、采用梯度等温进行焙烧处理工艺是:a、对补瓷表面处面釉在780℃-850℃进行焙烧处理;b、对补瓷表面处沿外围20cm-60cm的范围由内向外进行梯度等温降温处理;c、在补瓷表面处沿外围的范围内由内向外进行780℃-400℃的温度梯度等温处理;d、采用梯度等温降温处理的工艺,是当加热温度达到780℃-850℃后以5-15℃/分钟控制冷却至400℃以下再空冷至室温。
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