[发明专利]磁电阻传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 02105801.6 | 申请日： | 2002-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1417774A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 菅原贵彦 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁电阻传感器及其制造方法，该磁电阻传感器包括下电极层；由绝缘体基体和分散布置在所述绝缘体基体内的多个纳米管组成的纳米管结构膜；在纳米管结构膜上设置的磁电阻膜；以及在磁电阻膜上设置的上电极层。每个纳米管都包括圆管形非金属和被圆管形非金属包围的圆柱体金属。纳米管结构膜在其中央区域被局部蚀刻，从而通过磁电阻膜和位于中央区域中的每个纳米管的圆柱体金属而导通上电极层和下电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁电阻传感器，其中包括：上、下电极层；设置在所述上、下电极层之间的导通层，通过在绝缘体中设置圆柱体而形成所述导通层，所述圆柱体包括管状非金属和被所述管状非金属包围的圆柱体金属；以及在所述导通层和所述上、下电极层中的一个之间形成的磁电阻膜。
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