[发明专利]处理薄金属层的方法与设备无效
申请号: | 01804788.2 | 申请日: | 2001-10-09 |
公开(公告)号: | CN1404627A | 公开(公告)日: | 2003-03-19 |
发明(设计)人: | J·S·伊姆 | 申请(专利权)人: | 纽约市哥伦比亚大学托管会 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 孙敬国 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种处理衬底上薄金属层的方法和设备,通过用第一受激准分子激光脉冲辐射金属层,可控制该金属层中的颗粒度、颗粒形和颗粒界位置与定向。所述脉冲由掩膜限定的强度图案具有遮盖区与透光区。金属层被透光区覆盖的各区域贯穿其整个厚度熔化,而金属层被遮盖区覆盖的各区域保持至少部分不熔。各至少部分不熔区邻接相邻的熔化区。经第一受激准分子激光脉冲辐射后,让金属层的熔化区再固化。再固化期间,至少部分不熔区在邻接的熔化区内使颗粒活化生长而产生较大的颗粒。继第一受激准分子激光脉冲辐射再使熔化区完成再固化后,用强度图案偏移的第二受激准分子激光脉冲辐射金属层,使遮盖区覆盖金属层具有更少更大颗粒的区域。金属层被一个偏移的透光区覆盖的各区域贯穿其整个厚度熔化,而金属层被一个偏移的遮盖区覆盖的各区域保持至少部分不熔。在第二辐射束脉冲辐射后,熔化区在再固化期间,在至少部分不熔区中的较大颗粒在邻接的熔化区里活化生长甚至更大的颗粒。根据需要,可对金属层重复辐射、再固化和再辐射,直到在金属层中得到所要的颗粒结构。 | ||
搜索关键词: | 处理 金属 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种处理衬底上薄金属层的方法,其特征在于,包括以下步骤(a)用具有强度图案的第一辐射束脉冲辐射至少一部分金属层,所述强度图案包括至少一个透光区和至少一个遮盖区,至少一部分金属层被各自一个至少一个透光区覆盖的各区域贯穿其整个厚度熔化,至少一部分金属层被各自至少一个遮盖区覆盖的各区域保持至少部分不熔,各至少部分不熔区邻接至少一个相邻的熔化区;(b)让至少一部分金属层被第一辐射束脉冲辐射的各熔化区再固化,在各熔化区再固化期间,颗粒从各至少一个邻接至少部分不熔区的区域生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造