[发明专利]半导体陶瓷、用于去磁的正温系统热敏电阻器、去磁电路以及制造半导体陶瓷的方法无效
| 申请号： | 01804489.1 | 申请日： | 2001-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1421041A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 並河康训;高田贡;田中宏树;北村善则 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具有正电阻温度特性且用作去磁热敏电阻元件的半导体陶瓷中，通过将电阻温度系数α调节在大约从10到17的范围内，电流特性缓慢变化而不增加元件尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 用于 系统 热敏 电阻器 磁电 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对去磁热敏电阻有用的半导体陶瓷，其特征在于，包含具有正电阻温度特性和在从大约10到17的范围中的电阻温度系数α的半导体陶瓷，α＝[ln(ρ2/ρ1)/(T2-T1)]×100其中，ρ1：电阻率，它是热敏电阻的温度为室温(25℃)时所获得的电阻率ρ25的10倍，ρ2：电阻率，它是电阻率ρ25的100倍，T1：电阻率为ρ1时的温度(℃)，T2：电阻率为ρ2时的温度(℃)。
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