[发明专利]陶瓷的制造方法及其制造设备以及半导体器件和压电元件有效
| 申请号： | 01800693.0 | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1365399A | 公开（公告）日： | 2002-08-21 |
| 发明（设计）人： | 名取荣治 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;H01L21/31;H01L21/316;H01L27/10;H01L41/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的陶瓷的制造方法包括将至少形成陶瓷原材料一部分的原料材料微粒子和活性材料进行混合以后供给基体(10),并在基体(10)上面形成陶瓷膜(20)的工序。制造设备具有兼任基体(10)的加热部分的配置部分(40)、用于在微粒子的状态供给原料材料的原料材料供给部分(200)、用于供给活性材料的活性材料供给部分(100)、以及用于混合原料材料和活性材料的混合部分(300)。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 制造 方法 及其 设备 以及 半导体器件 压电 元件 | ||
【主权项】：
1、一种陶瓷的制造方法，包括：在混合至少形成陶瓷的原材料一部分的原料材料的微粒子和活性材料以后供给基体，并在该基体上面形成强电介质膜的工序。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
