[发明专利]金属线路铜背端的渐层式阻障层有效
| 申请号： | 01143889.4 | 申请日： | 2001-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1426097A | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘富台;洪政裕;游萃蓉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科 *** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种渐层式阻障层，它具有金属/不同组成的金属盐/金属的复合式结构，例如，钽/不同组成的氮化钽/钽(Ta/TaxN1－x/TaN/TaxN1－x/Ta)的结构，可取代传统的阻障层应用于铜金属化工艺。渐层式阻障层可利用化学气相沉积技术或物理气相沉积技术形成。以化学气相沉积为例，利用容易控制通入的反应气体的特性，可逐渐调整钽元素(Ta)及氮元素(N)的比例，以形成渐层式阻障层。以物理气相沉积为例，沉积数个不同组成的氮化钽层(TaxN1－x)，然后于后续热循环步骤如金属合金步骤中，内层间的扩散将造成钽元素(Ta)与氮元素(N)间较平滑的分布曲线而形成渐层式阻障层。其优点包括：容易控制工艺条件，介层洞与各金属间具有较强的粘着性，具有较佳的阶梯覆盖力以及延展性较大而不易断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 线路 铜背端 渐层式 阻障 | ||
【主权项】：
1.一种渐层式阻障层，其特征在于包含：第一金属层；数个不同组成的一金属盐复合层；及第二金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01143889.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
