[发明专利]一种细化低碳钢铁素体晶粒的方法无效
| 申请号： | 01140274.1 | 申请日： | 2001-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1164772C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 孙祖庆;杨王玥;杨平;齐俊杰;郑为为 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C21D8/00 | 分类号： | C21D8/00 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 杨玲莉 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低碳钢的形变热处理工艺，提出一种基于过冷奥氏体形变过程中的形变强化相变和铁素体动态再结晶的细化低碳钢中铁素体晶粒的技术方案，控制低碳钢在A3和Ar3之间的变形，解决了在低碳钢铁素体晶粒细化过程中存在的工艺控制严格的问题，使普通商用低碳钢在单道次或连续多道次变小变形量形条件下，获得等轴细晶铁素体组织，并使超细铁素体晶粒钢在保持原有塑性的同时，屈服强度提高一倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 细化 低碳钢 铁素体 晶粒 方法 | ||
【主权项】：
1、一种细化低碳钢铁素体晶粒的方法，其特征在于，在850℃～1100℃之间进行 奥氏体化，奥氏体化后，采用单道次变形，以5℃～50℃/s的速度冷却至A3和Ar3之间、在1-50/s应变速率范围变形，真应变达到1.0以上；或者采用多道次变形， 经过一道次或两道次在奥氏体区的热变形后，采取任何一种方式冷却，使以后的 2～5道次变形在A3和Ar3之间进行，终轧温度控制在Ar1以上，道次间隔时间为 0.1s～15s，道次的总累积变形量达到1.0以上，上述单道次或多道次形变后以20～50 ℃/s的速度冷却至室温。
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