[发明专利]双重镶嵌结构的制造方法有效
申请号: | 01139647.4 | 申请日: | 2001-11-30 |
公开(公告)号: | CN1421915A | 公开(公告)日: | 2003-06-04 |
发明(设计)人: | 黄义雄;黄俊仁;洪圭钧;张景旭 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种双重镶嵌结构的制造方法,此方法的步骤如下首先提供已形成导电层的基底,于此基底上依序形成第一介电层、第二介电层以及同时作为底层抗反射层的顶盖层。然后,定义顶盖层、第二介电层与第一介电层以形成暴露导电层的介层窗开口。接着,于顶盖层上形成一负光阻层,再图案化负光阻层以形成一开口。接着以负光阻层为罩幕,移除暴露的顶盖层与第二介电层以形成暴露第一介电层的沟渠,再移除负光阻层。然后,依序于沟渠与介层窗开口内形成共形的障碍层以及导体层,且导体层填满沟渠与介层窗开口。 | ||
搜索关键词: | 双重 镶嵌 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双重镶嵌结构的制造方法,其特征为:该方法包括:提供一基底,该基底具有一导电层;依序于该基底上形成一保护层、一第一介电层、一蚀刻中止层、一第二介电层与同时作为一底层抗反射层的一顶盖层;定义该顶盖层与该第二介电层,以形成暴露该蚀刻中止层的表面的第一开口,用以定义一介层窗开口的位置;于该顶盖层上形成一图案化负光阻层,该图案化负光阻层具有一第二开口,用以定义一沟渠的位置;移除该第二开口所暴露的该顶盖层,并移除该第一开口所暴露的该蚀刻中止层;移除该第二开口所暴露的该第二介电层以形成该沟渠,同时移除该第一开口所暴露的该第一介电层以形成该介层窗开口;移除该介层窗开口所暴露的该保护层;移除该负光阻层;以及于该沟渠与该介层窗开口内形成共形的一障碍层及其上的一导体层,该导体层填满该沟渠与该介层窗开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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