[发明专利]交替式相移光罩及其解除光罩以及接触洞的制造方法有效
申请号: | 01134366.4 | 申请日: | 2001-11-01 |
公开(公告)号: | CN1416015A | 公开(公告)日: | 2003-05-07 |
发明(设计)人: | 林本坚;游信胜;何邦庆 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/16 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种交替式相移光罩(AlternatingPhase-ShiftingMask;AltPSM)及其相对应的解除光罩(UnpackingMask),以及利用构装的交替式相移光罩与解除光罩,以构装及解除(PackingAndUnpacking;PAU)的方式来制造接触洞(ContactHole)。由交替式相移光罩的使用,可增加聚焦深度(DepthOfFocus;DOF),并降低光罩误差系数(MaskErrorFactor;MEF),而构装及解除法亦可缩小洞与洞的分离率(Hole-to-separationRatio),进而达到提高聚焦深度及降低光罩误差系数的目的。 | ||
搜索关键词: | 交替 相移 及其 解除 以及 接触 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种交替式相移光罩,适用于制造复数个接触洞,其特征在于,其中该交替式相移光罩至少包括:一背景;复数个接触洞图案位于该背景上;以及复数个填充洞图案位于该背景上,且该些填充洞图案包围住每一该些接触洞图案,其中该些填充洞图案与相邻的该些接触洞图案具有一相位差,且该些填充洞图案与相邻的该些接触洞图案之间具有一预设距离。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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