[发明专利]脊形波导式半导体激光器件及其制作方法无效
| 申请号： | 01134056.8 | 申请日： | 2001-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1412903A | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陈农 | 申请（专利权）人： | 陈农 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230061 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 脊形波导式半导体激光器件及其制作方法，层状结构，包括底座和条状脊背，底座以半导体为衬底基片，衬底基片的下层面为下部金属电极层，衬底基片的上层面依次为下部包被层、下部导波层、激光活性层、上部导波层和上部包被层；条状脊背是在条状包被层上覆盖接触层，其上表层为上部金属电极层。其特征是，作为电流通道，在位于激光活性层之上的包被层中，或是在位于激光活性层之下的下部包被层中，或是激光活性层本身，以选择性蚀刻形成宽度较之条状脊背更窄、以使通过其间的激光驱动电流值更低的窄带电流限制层。本发明既能保持低成本，又能保持激光器的高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 脊形波导 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、脊形波导式半导体激光器件，层状结构，包括底座和条状脊背，所述底座以半导体为衬底基片(1)，衬底基片(1)的下层面为下部金属电极层(2)，衬底基片(1)的上层面依次为下部包被层(10)、下部导波层(3)、激光活性层(4)、上部导波层(5)和上部包被层(11)；所述条状脊背是在条状包被层(6)上覆盖接触层(7)，其上表层为上部金属电极层(8)；其特征是，作为电流通道，在位于激光活性层(4)之上的包被层中，或是在位于激光活性层(4)之下的下部包被层中，或是激光活性层(4)本身，具有宽度较之条状脊背更窄、以使通过其间的激光驱动电流值更低的窄带电流限制层(9)。
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