[发明专利]薄膜晶体管基片及其制造方法有效
| 申请号： | 01125878.0 | 申请日： | 2001-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1374705A | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | 佐藤健史;高桥卓也;加藤智也;金子寿辉;池田一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在有自对准LDD的多晶硅薄膜晶体管基片上,用W浓度为重量5%以上不到25%,更希望用W浓度为重量17%到22%的Mo－W合金制作栅极,用包括磷酸浓度为重量60%到70%的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生产性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.薄膜晶体管基片，其特征是它是形成具有在透明绝缘性基片上形成由结晶硅构成的半导体膜，通过栅绝缘膜在半导体膜上形成由金属膜构成的栅极，以及夹着栅极由掺杂半导体膜形成的源极和漏极，并且在栅极一端具有用与源极和漏极相同类型的掺杂剂以比源极和漏极低的浓度进行掺杂的LDD区域的共面型薄膜晶体管的薄膜晶体管基片，上述栅极由用Mo作为主成分，包含重量5％以上不到25％的W的单层金属膜构成。
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