[发明专利]用于对磁阻随机存取存储器进行无损耗写入的装置无效
| 申请号： | 01124763.0 | 申请日： | 2001-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1146914C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | D·戈格尔;H·坎多夫;S·拉默斯 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对MRAM进行无损耗写入的装置，其中如此地调整位线(BL0，...BL4)或字线上的电压，使得将所述位线(BL；BL0，BL1，...)置为与所选字线(WL)的与各个位线(BL；BL0，BL1，...)相对应的各部分相同的电位。替换地，如果在所选定的位线(BL)两端施加的电压为V1和V2＜V1，则将所有的字线(WL)调整为电压(V1+V2)/2，使得所述的单元电压最大为+(V1-V2)/2，最小为-(V1-V2)/2。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁阻 随机存取存储器 进行 损耗 写入 装置 | ||
【主权项】：
1.用于对MRAM进行无损耗写入的装置，所述的MRAM具有许多存储单元(Z0，Z1，...)，而这些存储单元在存储单元区内分别被装设在字线(WL)和位线(BL；BL0，BL1，...)之间，其中，当向一个确定的存储单元实施写入时，在与该存储单元相连的选定字线(WL)上会出现电压降(V1-V2)，其特征在于：设有参考字线(RefWL)，它模仿了所述选定的字线(WL)，通过该参考字线提取被输入到为各个位线而设的调节器(R0-R4)中的参考电压，使得该调节器将所述位线(BL；BL0，BL1，...)置为与所选字线(WL)的隶属于各个位线(BL；BL0，BL1，...)的部分相同的电位。
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