[发明专利]在层内对准局部的开孔无效
| 申请号： | 01121012.5 | 申请日： | 2001-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1329359A | 公开（公告）日： | 2002-01-02 |
| 发明（设计）人： | M·克雷恩克;G·欣德勒 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,梁永 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在微电子结构上在层(15)内对准局部的开孔方法,其中凸起的辅助结构(11)沉积到衬底(1,5,7,9)上,使它覆盖一部分衬底(1,5,7,9)表面,应开孔的层(15)沉积到辅助结构(11)上,并且通过平面蚀刻,去除层(15)的材料,必要时去除其它材料(17)直到在辅助结构(11)上的层开孔和辅助材料(13)暴露为止。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 局部 | ||
【主权项】：
1.在层(15)内，尤其在微电子结构上的保护层内对准局部的开孔方法，其特征为，—由辅助材料(13)构成的至少一种凸起的辅助结构(11)沉积到衬底(1，5，7，9)上，必要时有位于其上的结构，使辅助结构复盖衬底(1，5，7，9)的一部分表面，—应开孔的层(15)沉积到辅助结构(11)上，使它复盖衬底(1，5，7，9)和辅助结构(11)的有关联的表面区域，以及—通过基本上平面蚀刻去除层(15)的材料，必要时去除处于表面上的其它材料(17)直到在辅助结构(11)上的层(15)开孔，并且露出辅助材料(13)为止。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01121012.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
