[发明专利]探查间隔紧密的导体阵列中的导体的方法和装置无效

专利信息
申请号: 01116998.2 申请日: 2001-05-23
公开(公告)号: CN1335511A 公开(公告)日: 2002-02-13
发明(设计)人: G·E·马科詹 申请(专利权)人: 特克特朗尼克公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;H01L21/66
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王勇,张志醒
地址: 美国俄*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于探查球栅阵列器件的端子、或间隔紧密的导体阵列的导体的方法和装置,最好采用位于基本上临近被监视点的埋置的尖端电阻器。这样,从连接点到尖端电阻器被提供相对短的接头。接收放大器方案基本上消除了影响现有技术放大器方案的偏移误差,其中该偏移误差由于尖端电阻器电阻值的变化而被引入到被测量的信号中。应当承认本发明不限定于埋置电阻器应用,而是也可应用于包括使用偏差范围大于1%的尖端电阻器的探查情况。
搜索关键词: 探查 间隔 紧密 导体 阵列 中的 方法 装置
【主权项】:
1.一种探查电子器件端子处的信号的方案,包括:连接到所述端子用于接收所述信号的输入端;偏差范围大于1%的尖端电阻器,所述尖端电阻器具有连接到所述接收信号的所述输入端,并被置于物理上基本临近于所述电子器件的所述端子的第一端;具有连接到所述用于接收所述信号的尖端电阻器的第二端的输入端,并具有输出端的传输线;以及具有连接到用于接收所述信号的所述传输线的所述输出端的第一输入端,并当所述信号超过预定参考值时放大所述信号的放大器;所述放大器被偏置到所述参考电平,所述参考电平与所述输入端的所述信号显示的参考电平基本上一样。
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