[发明专利]半导体制造方法和半导体制造装置有效
| 申请号： | 01116233.3 | 申请日： | 2001-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1312585A | 公开（公告）日： | 2001-09-12 |
| 发明（设计）人： | 长谷川博之;山冈智刚;石原良夫;增崎宏 | 申请（专利权）人： | 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社;日本酸素株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/66;G01N21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种可以正确调整工艺时的条件,高精度进行选择外延生长等的反应性气体处理的半导体制造方法。并且,提供一种可以抑制水分浓度的增加,防止重金属污染,同时能够检测反应室内水分浓度与外部区域之间相关的半导体制造方法和半导体制造装置。在设置衬底的状态下测量反应室1内或该反应室的气体排放系统内的水分浓度,根据该水分浓度调整反应性气体处理的条件。并且,在用连接于衬底运送系统2、3内密闭空间的第1水分计6测量上述密闭空间的水分浓度后,用上述衬底运送系统进行送入或取出衬底W的衬底运送工序,及在该衬底运送工序后,用连接于反应室1的第2水分计一边测量反应室内的水分浓度一边进行反应性气体处理的处理工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体制造方法，是在内部设置有衬底的反应室(1)内流过反应性气体，进行使衬底(W)与反应性气体反应的反应性气体处理，其特征在于，在设置有上述衬底(W)的状态下，测量上述反应室(1)内和该反应室(1)的气体排放系统内的水分浓度，根据该水分浓度，调整反应性气体处理的条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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