[发明专利]半导体器件及其制造方法、化学机械研磨装置和方法无效
| 申请号： | 01110846.0 | 申请日： | 2001-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1307363A | 公开（公告）日： | 2001-08-08 |
| 发明（设计）人： | 原田繁;高田佳史;泉谷淳子 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/522;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供防止高集成化的半导体器件的焊盘电极的表面氧化,与外部端子的连接强度高的半导体器件。一种半导体器件,配有用于连接外部电极的焊盘电极和与该焊盘电极连接的多层布线结构,覆盖该焊盘电极、在该焊盘电极上有开口部并使该焊盘电极的表面露出的绝缘膜的单面与贵金属和从以该贵金属为主要成分的金属中选择的一种贵金属材料组成的金属面连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 化学 机械 研磨 装置 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，配有用于连接外部电极的焊盘电极和与该焊盘电极连接的多层布线结构，其特征在于，该半导体器件包括：半导体衬底；绝缘层，设置在该半导体衬底上；多层布线结构，由被填埋在该绝缘层中的多层布线层和连接该多层布线之间的通孔组成；焊盘电极，与该多层布线结构连接；和绝缘膜，覆盖该焊盘电极，在该焊盘电极上有开口部分，并使该焊盘电极的表面露出；该绝缘膜的单面与贵金属和从以该贵金属为主要成分的金属中选择的一种贵金属材料组成的金属面连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01110846.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：降低所必需的存储器存储量的绘画处理器
- 下一篇：功率控制子系统
